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苏州东微半导体股份有限公司

INN650D080BS

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关键参数
RDS(on) typ (mΩ)
60
VDS max (V)
650
Technology
Gen 2.5

参数详情

原表字段 10
RDS(on) typ (mΩ)
60
VDS max (V)
650
Technology
Gen 2.5
QG (nC)
6.2
Package
DFN8X8
RDS(on) max (mΩ)
80
Configuration
Single
ID pulse max (A)
58
Qoss (nC)
60
ID max (A)
29

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