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苏州东微半导体股份有限公司

OSG80R650DF-F

在售
封装
TO-252-2L
关键参数
额定电压
800 V

参数详情

器件与额定值 3
器件类型
高压 MOS(超结 SJ,≥400V)
管芯配置
单管
额定电压
800 V
开关特性 1
反向恢复电荷 Qrr
1900 nC
导入新增 8
Cosstyp
44
Co(tr)typ
159
IDmax @25℃
8
Nr of Transistors
1
QGtyp
16
RDS(on)max @10V
650
VGS(th)max
3.9
VGS(th)min
2.9
封装与机械 1
封装/外形
TO-252-2L
工作环境、合规与生命周期 2
车规等级
非车规(消费/工业级)
生命周期状态
量产(Active)

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