参数详情
器件与额定值 3
- 器件类型
- SiC 碳化硅 MOS
- 管芯配置
- 单管
- 额定电压
- 1200 V
开关特性 1
- 反向恢复电荷 Qrr
- 215 nC
导入新增 8
- Cosstyp
- 120
- Eosstyp
- 50
- IDmax @25℃
- 85
- Nr of Transistors
- 1
- QGtyp
- 118
- RDS(on)typ @18V
- 25
- VGS(th)max
- 3.6
- VGS(th)min
- 2.3
原表字段 14
- Qrrtyp(nC)
- 215
- VGS(th)min(V)
- 2.3
- Category
- Industrial
- Nr of Transistors
- 1
- VDSmax(V)
- 1200
- Polarity
- Single N
- VGS(th)max(V)
- 3.6
- IDmax @25℃(A)
- 85
- Eosstyp(uJ)
- 50
- Product Status
- Production
- QGtyp(nC)
- 118
- RDS(on)typ @18V(mΩ)
- 25
- Package Type
- QDPAK
- Cosstyp(pF)
- 120
封装与机械 1
- 封装/外形
- QDPAK
工作环境、合规与生命周期 2
- 车规等级
- 非车规(消费/工业级)
- 生命周期状态
- 量产(Active)
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