参数详情
器件与额定值 3
- 器件类型
- SiC 碳化硅 MOS
- 管芯配置
- 单管
- 额定电压
- 650 V
开关特性 1
- 反向恢复电荷 Qrr
- 170 nC
导入新增 8
- Cosstyp
- 194
- Eosstyp
- 19
- IDmax @25℃
- 68
- Nr of Transistors
- 1
- QGtyp
- 83
- RDS(on)typ @18V
- 25
- VGS(th)max
- 3.6
- VGS(th)min
- 2.3
原表字段 14
- Qrrtyp(nC)
- 170
- VGS(th)min(V)
- 2.3
- Category
- Industrial
- Nr of Transistors
- 1
- VDSmax(V)
- 650
- Polarity
- Single N
- VGS(th)max(V)
- 3.6
- IDmax @25℃(A)
- 68
- Eosstyp(uJ)
- 19
- Product Status
- Production
- QGtyp(nC)
- 83
- RDS(on)typ @18V(mΩ)
- 25
- Package Type
- TOLL
- Cosstyp(pF)
- 194
封装与机械 1
- 封装/外形
- TOLL(TO-Leadless)
工作环境、合规与生命周期 2
- 车规等级
- 非车规(消费/工业级)
- 生命周期状态
- 量产(Active)
获取 OSQ65R025TT2F 报价
提交需求后由工程师对接,提供选型建议、替代方案与批量报价。 已为你带上本型号,无需再抄。