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苏州东微半导体股份有限公司

OST10N120K7SF

在售
封装
TO-263-7L
关键参数
额定电压
1200 V
额定电流
20.0 A
饱和压降 VCE(sat)
1.6 V

参数详情

器件与额定值 4
器件类型
IGBT(分立单管)
管芯配置
单管
额定电压
1200 V
额定电流
20.0 A
导通特性 1
饱和压降 VCE(sat)
1.6 V
开关特性 3
开通损耗 Eon
0.15 mJ
关断损耗 Eoff
0.48 mJ
栅极电荷 Qg
47 nC
原表字段 11
Category
Industrial
Nr of Transistors
1
Polarity
Single N
Eoff(mJ)
0.48
QGtyp @10V(nC)
47
Product Status
Production
VCEmax(V)
1200
VCE(sat)typ(V)
1.6
ICtyp(A)
20
Package Type
TO-263-7L
Eon(mJ)
0.15
封装与机械 1
封装/外形
TO-263-7L
工作环境、合规与生命周期 2
车规等级
非车规(消费/工业级)
生命周期状态
量产(Active)

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