苏州东微半导体股份有限公司
OST120N120H7EM2F
在售
- 封装
- TO-247Plus-4L
关键参数
- 额定电压
- 1200 V
- 额定电流
- 220.0 A
- 饱和压降 VCE(sat)
- 1.65 V
参数详情
器件与额定值 4
- 器件类型
- IGBT（分立单管）
- 管芯配置
- 单管
- 额定电压
- 1200 V
- 额定电流
- 220.0 A
导通特性 2
- 饱和压降 VCE(sat)
- 1.65 V
- 反并二极管压降 VF
- 2.9 V
开关特性 4
- 开通损耗 Eon
- 3.57 mJ
- 关断损耗 Eoff
- 4.03 mJ
- 栅极电荷 Qg
- 310 nC
- 反向恢复电荷 Qrr
- 2700 nC
原表字段 13
- Qrrtyp(nC)
- 2700
- Category
- Industrial
- Nr of Transistors
- 1
- Polarity
- Single N
- VFtyp(V)
- 2.9
- Eoff(mJ)
- 4.03
- QGtyp @10V(nC)
- 310
- Product Status
- Production
- VCEmax(V)
- 1200
- VCE(sat)typ(V)
- 1.65
- ICtyp(A)
- 220
- Package Type
- TO-247Plus-4L
- Eon(mJ)
- 3.57
封装与机械 1
- 封装/外形
- TO-247Plus-4L
工作环境、合规与生命周期 2
- 车规等级
- 非车规(消费/工业级)
- 生命周期状态
- 量产(Active)
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