参数详情
器件与额定值 4
- 器件类型
- IGBT（分立单管）
- 管芯配置
- 单管
- 额定电压
- 650 V
- 额定电流
- 30.0 A
导通特性 1
- 饱和压降 VCE(sat)
- 1.65 V
开关特性 4
- 开通损耗 Eon
- 0.62 mJ
- 关断损耗 Eoff
- 0.11 mJ
- 栅极电荷 Qg
- 73 nC
- 反向恢复电荷 Qrr
- 1200 nC
原表字段 12
- Qrrtyp(nC)
- 1200
- Category
- Industrial
- Nr of Transistors
- 1
- Polarity
- Single N
- Eoff(mJ)
- 0.11
- QGtyp @10V(nC)
- 73
- Product Status
- Production
- VCEmax(V)
- 650
- VCE(sat)typ(V)
- 1.65
- ICtyp(A)
- 30
- Package Type
- TO-263-2L
- Eon(mJ)
- 0.62
封装与机械 1
- 封装/外形
- TO-263-2L(D2PAK)
工作环境、合规与生命周期 2
- 车规等级
- 非车规(消费/工业级)
- 生命周期状态
- 量产(Active)
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