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苏州东微半导体股份有限公司

OST50N65HEN2F

在售
封装
TO-247
关键参数
额定电压
650 V
额定电流
80.0 A
饱和压降 VCE(sat)
1.56 V

参数详情

器件与额定值 4
器件类型
IGBT(分立单管)
管芯配置
单管
额定电压
650 V
额定电流
80.0 A
导通特性 2
饱和压降 VCE(sat)
1.56 V
反并二极管压降 VF
1.6 V
开关特性 4
开通损耗 Eon
1.4 mJ
关断损耗 Eoff
0.56 mJ
栅极电荷 Qg
111 nC
反向恢复电荷 Qrr
830 nC
原表字段 13
Qrrtyp(nC)
830
Category
Industrial
Nr of Transistors
1
Polarity
Single N
VFtyp(V)
1.6
Eoff(mJ)
0.56
QGtyp @10V(nC)
111
Product Status
Production
VCEmax(V)
650
VCE(sat)typ(V)
1.56
ICtyp(A)
80
Package Type
TO-247-3L
Eon(mJ)
1.4
封装与机械 1
封装/外形
TO-247
工作环境、合规与生命周期 2
车规等级
非车规(消费/工业级)
生命周期状态
量产(Active)

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