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苏州东微半导体股份有限公司

OST75N65HSMF-D

在售
封装
TO-247
关键参数
额定电压
650 V
额定电流
90.0 A
饱和压降 VCE(sat)
1.48 V

参数详情

器件与额定值 4
器件类型
IGBT(分立单管)
管芯配置
单管
额定电压
650 V
额定电流
90.0 A
导通特性 2
饱和压降 VCE(sat)
1.48 V
反并二极管压降 VF
1.58 V
开关特性 4
开通损耗 Eon
2.48 mJ
关断损耗 Eoff
1.64 mJ
栅极电荷 Qg
186 nC
反向恢复电荷 Qrr
1490 nC
原表字段 13
Qrrtyp(nC)
1490
Category
Industrial
Nr of Transistors
1
Polarity
Single N
VFtyp(V)
1.58
Eoff(mJ)
1.64
QGtyp @10V(nC)
186
Product Status
Production
VCEmax(V)
650
VCE(sat)typ(V)
1.48
ICtyp(A)
90
Package Type
TO-247-3L
Eon(mJ)
2.48
封装与机械 1
封装/外形
TO-247
工作环境、合规与生命周期 2
车规等级
非车规(消费/工业级)
生命周期状态
量产(Active)

资料下载

数据手册与技术资料整理自原厂公开文档,以原厂最新版本为准。

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