参数详情
器件与额定值 4
- 器件类型
- IGBT（分立单管）
- 管芯配置
- 单管
- 额定电压
- 650 V
- 额定电流
- 90.0 A
导通特性 2
- 饱和压降 VCE(sat)
- 1.88 V
- 反并二极管压降 VF
- 2.77 V
开关特性 4
- 开通损耗 Eon
- 0.72 mJ
- 关断损耗 Eoff
- 0.57 mJ
- 栅极电荷 Qg
- 85 nC
- 反向恢复电荷 Qrr
- 60 nC
原表字段 13
- Qrrtyp(nC)
- 60
- Category
- Industrial
- Nr of Transistors
- 1
- Polarity
- Single N
- VFtyp(V)
- 2.77
- Eoff(mJ)
- 0.57
- QGtyp @10V(nC)
- 85
- Product Status
- Production
- VCEmax(V)
- 650
- VCE(sat)typ(V)
- 1.88
- ICtyp(A)
- 90
- Package Type
- TO-263-7L
- Eon(mJ)
- 0.72
封装与机械 1
- 封装/外形
- TO-263-7L
工作环境、合规与生命周期 2
- 车规等级
- 非车规(消费/工业级)
- 生命周期状态
- 量产(Active)
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