GaN HEMT 系列

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相关型号

同品牌、同分类下的其它型号。

• OSC80N65HF 苏州东微半导体股份有限公司

  额定电压

  650 V

  额定电流

  114.0 A

  饱和压降 VCE(sat)

  1.85 V

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• OSC90N65HF 苏州东微半导体股份有限公司

  额定电压

  650 V

  额定电流

  120.0 A

  饱和压降 VCE(sat)

  1.65 V

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• OST100N120H5EM2F 苏州东微半导体股份有限公司

  额定电压

  1200 V

  额定电流

  166.0 A

  饱和压降 VCE(sat)

  1.7 V

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• OST100N120H5SM2F 苏州东微半导体股份有限公司

  额定电压

  1200 V

  额定电流

  120.0 A

  饱和压降 VCE(sat)

  1.63 V

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• OST100N120H5UM2F 苏州东微半导体股份有限公司

  额定电压

  1200 V

  额定电流

  166.0 A

  饱和压降 VCE(sat)

  1.7 V

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• OST100N120H5UM2F-E 苏州东微半导体股份有限公司

  额定电压

  1200 V

  额定电流

  120.0 A

  饱和压降 VCE(sat)

  1.65 V

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• OST100N120H7EM2F 苏州东微半导体股份有限公司

  额定电压

  1200 V

  额定电流

  212.0 A

  饱和压降 VCE(sat)

  1.65 V

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• OST100N120H7EM2F-E 苏州东微半导体股份有限公司

  额定电压

  1200 V

  额定电流

  212.0 A

  饱和压降 VCE(sat)

  1.65 V

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