OSC80N65HF
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系列概述
东微的IGBT芯片采用特有的Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBT)器件结构，以得到更低的导通压降与更小的开关损耗。目前公司已先后推出第一代及第二代TGBT多个系列产品，涵盖600V~1700V电压，适合应用于光伏储能逆变、直流充电桩、汽车主驱、OBC、UPS等领域。公司亦开发出超高速系列TGBT，工作频率达到60-100KHz，可以在满足电源系统进一步高频化的同时，实现更高的效率。
功能特点
第一代及第二代TGBT多个系列产品，涵盖600V~1700V电压，适合应用于光伏储能逆变、直流充电桩、汽车主驱、OBC、UPS等领域。
详细说明
IGBT 选型表
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