超高压MOSFET

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OSG65R130HT3ZF-F 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

650 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-247

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OSG65R130K7T3ZAF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

650 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-263-7L

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OSG65R130K7T3ZF-F 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

650 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-263-7L

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OSG65R130KT3ZF-F 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

650 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-263-2L(D2PAK)

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OSG65R130PT3ZAF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

650 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-220

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OSG65R130PT3ZF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

650 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-220

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OSG65R130PT3ZF-F 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

650 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-220

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OSG65R130TT3ZF-F 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

650 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TOLL(TO-Leadless)

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OSG65R140DT3F 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

650 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-252-2L

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OSG65R140FSZF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

650 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-220F-3L

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OSG65R140HSZAF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

650 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-247

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OSG65R140HSZF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

650 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-247

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OSG65R140HT3F 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

650 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-247

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OSG65R140KSZF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

650 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-263-2L(D2PAK)

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OSG65R140PSZF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

650 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-220

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OSG65R150KT3F 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

650 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-263-2L(D2PAK)

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OSG65R160FF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

650 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-220F-3L

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OSG65R160PF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

650 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-220

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OSG65R180DT3F 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

650 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-252-2L

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OSG65R180KT3F 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

650 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-263-2L(D2PAK)

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