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半导体产品

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STM32F407IGT6 量产(Active) Arm Cortex-M4F 高性能通用微控制器，168MHz / 1MB Flash

最高主频

168 MHz

片上 Flash

1024 KB

片上 SRAM

192 KB

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STM32H743VIT6 量产(Active) Arm Cortex-M7 高性能微控制器，480MHz / 2MB Flash / 1MB SRAM

最高主频

480 MHz

片上 Flash

2048 KB

片上 SRAM

1024 KB

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STM32G071RBT6 量产(Active) Arm Cortex-M0+ 主流型微控制器，64MHz / 128KB Flash

最高主频

64 MHz

片上 Flash

128 KB

片上 SRAM

36 KB

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STM32L431RCT6 量产(Active) Arm Cortex-M4F 超低功耗微控制器，80MHz / 256KB Flash

最高主频

80 MHz

片上 Flash

256 KB

片上 SRAM

64 KB

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GD32F470ZGT6 量产(Active) Arm Cortex-M4F 国产高性能微控制器，240MHz / 1MB Flash

最高主频

240 MHz

片上 Flash

1024 KB

片上 SRAM

512 KB

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GD32E103VBT6 量产(Active) Arm Cortex-M4 国产主流微控制器，120MHz / 128KB Flash

最高主频

120 MHz

片上 Flash

128 KB

片上 SRAM

32 KB

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MIMXRT1015CAF4A 量产(Active) i.MX RT1015 跨界处理器，Arm Cortex-M7 500MHz / 128KB TCM

最高主频

500 MHz

片上 SRAM

128 KB

内核

ARM Cortex-M7

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LPC1768FBD100 不推荐用于新设计(NRND) Arm Cortex-M3 经典工业微控制器，100MHz / 512KB Flash

最高主频

100 MHz

片上 Flash

512 KB

片上 SRAM

64 KB

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MSP430FR5994IPMR 量产(Active) 16 位超低功耗 FRAM 微控制器，16MHz / 256KB FRAM

最高主频

16 MHz

片上 Flash

256 KB

片上 SRAM

8 KB

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MCIMX6Y2CVM08AB 量产(Active) i.MX 6ULL 应用处理器，Arm Cortex-A7 800MHz

最高主频

800 MHz

片上 SRAM

128 KB

内核

ARM Cortex-A7

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STM32MP151AAC3 量产(Active) STM32MP1 异构处理器，Cortex-A7 650MHz + Cortex-M4 209MHz

最高主频

650 MHz

片上 SRAM

448 KB

内核

ARM Cortex-A7

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OSC80N65HF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

650 V

额定电流

114.0 A

饱和压降 VCE(sat)

1.85 V

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OSC90N65HF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

650 V

额定电流

120.0 A

饱和压降 VCE(sat)

1.65 V

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OST100N120H5EM2F 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

1200 V

额定电流

166.0 A

饱和压降 VCE(sat)

1.7 V

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OST100N120H5SM2F 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

1200 V

额定电流

120.0 A

饱和压降 VCE(sat)

1.63 V

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OST100N120H5UM2F 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

1200 V

额定电流

166.0 A

饱和压降 VCE(sat)

1.7 V

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OST100N120H5UM2F-E 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

1200 V

额定电流

120.0 A

饱和压降 VCE(sat)

1.65 V

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OST100N120H7EM2F 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

1200 V

额定电流

212.0 A

饱和压降 VCE(sat)

1.65 V

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OST100N120H7EM2F-E 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

1200 V

额定电流

212.0 A

饱和压降 VCE(sat)

1.65 V

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OST100N120H7UM2F 苏州东微半导体股份有限公司

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额定电流

212.0 A

饱和压降 VCE(sat)

1.65 V

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