超高压MOSFET

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OSG90R250FF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

900 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-220F-3L

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OSG90R250HF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

900 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-247

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OSG90R250KF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

900 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-263-2L(D2PAK)

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OSG90R340FF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

900 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-220F-3L

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OSG90R340KF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

900 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-263-2L(D2PAK)

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OSG90R340PF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

900 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-220

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OSG90R350HF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

900 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-247

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OSG90R500KF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

900 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-263-2L(D2PAK)

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OSG90R750HF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

900 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-247

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OSG95R130HSF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

950 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-247

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OSG95R130HSZF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

950 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-247

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OSG95R1K2DF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

950 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-252-2L

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OSG95R1K2FF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

950 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-220F-3L

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OSG95R1K2PF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

950 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-220

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OSG95R200FSF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

950 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-220F-3L

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OSG95R200HSZF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

950 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-247

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OSG95R240HF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

950 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-247

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OSG95R350HF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

950 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-247

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OSG95R350HSF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

950 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-247

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OSG95R500FF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

950 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-220F-3L

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