超高压MOSFET

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OSG80R380HF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

800 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-247

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OSG80R380HF-F 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

800 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-247

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OSG80R380KF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

800 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-263-2L(D2PAK)

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OSG80R380KF-F 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

800 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-263-2L(D2PAK)

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OSG80R380KSF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

800 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-263-2L(D2PAK)

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OSG80R380PF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

800 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-220

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OSG80R380PF-F 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

800 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-220

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OSG80R380PSF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

800 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-220

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OSG80R450DF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

800 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-252-2L

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OSG80R450FF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

800 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-220F-3L

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OSG80R600FF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

800 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-220F-3L

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OSG80R650DF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

800 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-252-2L

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OSG80R650DF-F 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

800 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-252-2L

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OSG80R650FF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

800 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-220F-3L

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OSG80R650FF-F 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

800 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-220F-3L

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OSG80R900DF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

800 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-252-2L

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OSG80R900FF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

800 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-220F-3L

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OSG90R1K2DF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

900 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-252-2L

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OSG90R1K2FF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

900 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-220F-3L

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OSG90R1K2KF 苏州东微半导体股份有限公司

额定电压

900 V

器件类型

高压 MOS（超结 SJ，≥400V）

封装/外形

TO-263-2L(D2PAK)

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